AM26C31IDR 中文资料数据手册详细参数
发布时间:2026-7-24 17:07:00
AM26C31IDR TI(德州仪器) SOIC-16 9800000PCS,AM26C31IDR 品牌:TI(德州仪器) 封装 :SOIC-16 工作电压:4.5V~5.5V 工作电流:20mA 类目: 缓冲器/驱动器/[详情]
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发布时间:2026-7-24 17:07:00
AM26C31IDR TI(德州仪器) SOIC-16 9800000PCS,AM26C31IDR 品牌:TI(德州仪器) 封装 :SOIC-16 工作电压:4.5V~5.5V 工作电流:20mA 类目: 缓冲器/驱动器/[详情]

发布时间:2026-7-23 18:18:00
LM317MKVURG3在高压差场景下功耗大、发热严重,已难以满足现代电源设计的小型化与高能效需求。本文剖析其物理局限,并提供从LDO到Buck+LDO的分级替代方案及60V高压场景选型警示,助力工程师实现降本增效与可靠性提升。, LM3[详情]

发布时间:2026-7-22 13:45:00
TMC2226-SA-T ADI(亚德诺)/TRINAMIC HTSSOP-28 890000PCS,TMC2226-SA-T 品牌:ADI(亚德诺)/TRINAMIC 封装:HTSSOP-28 工作电压:3.3V~5[详情]

发布时间:2026-7-21 16:53:00
NTMFS4C06NAT1G onsemi SO-8FL 8900000PCS,NTMFS4C06NAT1G 品牌“” onsemi 封装:SO-8FL 工作电压:30 V 工作电流:69 A 导通电阻:3.2 mOhm[详情]

发布时间:2026-7-20 10:03:00
MAX3735AETG+T ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) TQFN-24-EP(4x4),MAX3735AETG+T 品牌:ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 封装:TQFN-24-EP(4x4) 工作电压:2.97V[详情]

发布时间:2026-7-6 10:43:00
NVMFSW6D1N08HT1G onsemi(安森美) DFN-5(5.9x4.9) 8900PCS,NVMFSW6D1N08HT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装:DFN-5(5.9x4.9) 工作电压:80V [详情]

发布时间:2026-6-30 14:17:00
MP1540DJ-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. TSOT-23-5,MP1540DJ-LF-Z 品牌:Monolithic Power Systems Inc. 封装:TSOT-23-[详情]

发布时间:2026-6-29 16:08:00
74LVC2G17DW-7 DIODES(美台) SOT-363 8900000PCS,74LVC2G17DW-7 品牌:DIODES(美台) 封装:SOT-363 工作电压:1.65V~5.5V 工作电流:32mA 类目:[详情]

发布时间:2026-6-27 16:38:00
AWR1843ABGABLRQ1 TI(德州仪器) CSP-161(10.4x10.4) 现货供应 欢迎来电咨询,AWR1843ABGABLRQ1 品牌“”TI(德州仪器) 封装:CSP-161(10.4x10.4) 工作电压:[详情]

发布时间:2026-6-26 11:20:00
AM26C31IDR TI(德州仪器) SOIC-16 890000PCS,一、基础芯片功能(四路 RS422 差分发送驱动器) 电平转换核心 接收 MCU/FPGA 输出的单端 TTL/CMOS 5V 逻辑信号,转换成一对互补差分[详情]

发布时间:2026-6-23 15:53:00
NTMFSC012N15MC 为安森美 DualCool 系列 150V N 沟道功率 MOSFET PQFN8 双面散热封装,80A 大电流,NTMFSC012N15MC 品牌: onsemi(安森美) 封装“”DFN-8 [详情]

发布时间:2026-6-22 10:05:00
TMC2226-SA-T TRINAMIC HTSSOP-28 8900000PCS,功率驱动:内置低阻 MOS 管,无需外置采样电阻,适配 4.75~29V 宽电压电机供电,持续 2A、峰值 2.8A 驱动两相步进电机; 静音与平滑[详情]

发布时间:2026-6-17 12:02:00
MAX202CSE+T ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) SOIC-16 890000PCS,MAX202CSE+T 应用功能 基础规格 美信 5V 供电 RS232 收发器,SOIC16 贴片封装,2 路发送 + 2 路接收[详情]

发布时间:2026-6-16 16:47:00
BQ25883RGER TI(德州仪器) VQFN-24-EP(4x4) 8900000PCS,BQ25883RGER 功能应用摘要 一、芯片概述 TI 高度集成2 串锂电池升压型充电管理 PMIC,型号 BQ25883RGER[详情]

发布时间:2026-6-15 11:57:00
NVMFSC0D9N04C是安森美(onsemi)DUAL COOL® N 沟道功率 MOSFET,采用DFN8 5×6mm封装,40V/316A、超低导通电阻 0.87mΩ,适配大电流、高效率、强散热场景,通过AEC-Q101车规认证,N[详情]

发布时间:2026-6-2 12:00:00
ZXMHC3F381N8TC DIODES(美台) SO-8 890000PCS,ZXMHC3F381N8TC是DIODES(美台半导体)推出的集成式H桥MOSFET阵列芯片,采用标准SOP-8L贴片封装,内部集成2路N沟道与2路P沟道[详情]

发布时间:2026-5-30 11:01:00
CC1190RGVR是德州仪器(TI) 89000000PCS,CC1190RGVR是德州仪器(TI)推出的Sub‑1GHz(850–950 MHz)射频前端芯片,用于低功耗无线系统的通信距离扩展与链路预算提升,可与 CC11XX/CC43[详情]

发布时间:2026-5-29 9:59:00
NTMFS5C604NLT1G-UIL3 onsemi(安森美) DFN-5(5x6),NTMFS5C604NLT1G-UIL3 品牌: onsemi(安森美) 封装: DFN-5(5x6) 工作电压: 60V 工作电流: 4[详情]

发布时间:2026-5-28 14:11:00
MAX202CSE+T ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) SOIC-16 安富世纪现货供应 欢迎来电咨询,MAX202CSE+T是 Maxim(ADI)推出的双通道 RS-232 收发器,采用 SOIC-16 封装,核心为单 5V 供[详情]

发布时间:2026-5-27 15:29:00
NTMFSC012N15MC onsemi(安森美) DFN-8 890000PCS,NTMFSC012N15MC 是安森美(onsemi)推出的N 沟道 DualCool™功率 MOSFET,采用 5×6mm PQFN8 封装,具备[详情]