产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 509 A
Rds On-漏源导通电阻: 420 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 133 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 197 W
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