类型 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.49mΩ
功率(Pd) 194W
封装 DFN-5(5x6)
NTMFS0D5N04XLT1G 场效应管(MOSFET)
摘要
NTMFS0D5N04XLT1G 供应情况
深圳市安富世纪电子有限公司
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