NTMFS0D6N03CT1G 场效应管(MOSFET)

类型 1个N沟道

封装 DFN-5(5.1x6.1)

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流(Id) 433A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.52mΩ@10V,30A

功率(Pd) 200W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@280uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 65nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds) 10.5nF@15V

反向传输电容(Crss@Vds) 161pF@15V

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)