NTMFS0D8N02P1ET1G 场效应管(MOSFET)

封装DFN-5(5.9x4.9)

类型 1个N沟道

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流(Id) 365A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.44mΩ@10V,46A

功率(Pd) 139W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@2mA

栅极电荷(Qg@Vgs) 52nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds) 8.6nF@13V

反向传输电容(Crss@Vds) 129pF@13V

工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)