NTMFS0D9N03CGT1G 场效应管(MOSFET)

场效应管(MOSFET)

类型 1个N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流(Id) 298A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.71mΩ@10V,20A

功率(Pd) 144W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@200uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 131.4nC@10V

输入电容(Ciss@Vds) 9.45nF@15V

反向传输电容(Crss@Vds) 243pF@15V

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)