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NTMFS1D1N04XMT1G PDF规格书

发布时间2024-10-19 11:16:00关键词:NTMFS1D1N04XMT1G
摘要

NTMFS1D1N04XMT1G 品牌:ON,批号24+ 数量6000

1D1N04XMT1

更多详情参数或规格书请联系谢云 19924902278

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: N

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 233 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.05 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 49.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 104 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 6.07 ns

正向跨导 - 最小值: 152 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 7.09 ns

系列: NTMFS1D1N04XM

1500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 32.8 ns

典型接通延迟时间: 22.2 ns

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