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NTMFS1D3N04XMT1G MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

发布时间2024-10-21 16:28:00关键词:1D3N04XMT1G
摘要

NTMFS1D3N04XMT1G 规格书资料

1D3N04XMT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: N

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 195 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 38.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 90 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 5.47 ns

正向跨导 - 最小值: 105 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 6.27 nC

系列: NTMFS1D3N04XM

1500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 29.2 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

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