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NTMFS1D15N03CGT1G 场效应管 ON

发布时间2024-11-6 17:44:00关键词:NTMFS1D15N03CGT1G
摘要

NTMFS1D15N03CGT1G 现货库存

NTMFS1D15N03CGT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 245 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 94 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 124 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFETs

上升时间: 13 ns

系列: NTMFS1D15N03CG

1500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 72 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

单位重量: 175 mg

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