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NTMFS2D1N08XT1G MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

发布时间2024-11-13 15:23:00关键词:2D1N08XT1G
摘要

NTMFS2D1N08XT1G 规格书资料

2D1N08XT1G

深圳市福田区华强北路1019华强广场A座

手机:19924902278(微信同号)

Q Q: 3008084672

邮件: 3008084672@qq.com

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 201 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V

Qg-栅极电荷: 39 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 164 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 7 ns

正向跨导 - 最小值: 158 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 9 ns

系列: NTMFS2D1N08X

1500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 42 ns

典型接通延迟时间: 29 ns

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