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NTMFS002N10MCLT1G 场效应管(MOSFET)

发布时间2024-11-17 9:32:00关键词:NTMFS002N10MCLT1G
摘要

NTMFS002N10MCLT1G 现货库存

NTMFS002N10MCLT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 175 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 97 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 3 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

产品: MOSFETs

产品类型: MOSFETs

系列: NTMFS002N10MCL

1500

子类别: Transistors

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