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NTMFS3D2N10MDT1G MOSFET PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET, HE SO8FL

发布时间2024-11-26 16:27:00关键词:NTMFS3D2N10MDT1G
摘要

NTMFS3D2N10MDT1G 库存情况

NTMFS3D2N10MDT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 142 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 48 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 155 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

产品: MOSFETs

产品类型: MOSFETs

系列: NTMFS3D2N10MD

1500

子类别: Transistors