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商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 78A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.4mΩ@10V
功率(Pd) 33W
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 14nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 1.972nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds) 59pF@15V
工作温度 -55℃~+150℃
