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NTMFS4C06NAT1G onsemi

发布时间2024-12-18 13:52:00关键词:NTMFS4C06NAT1G
摘要

NTMFS4C06NAT1G 现货库存

NTMFS4C06NAT1G

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 69 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 26 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

产品类型: MOSFETs

系列: NTMFS4C06N

1500

子类别: Transistors

单位重量: 750 mg

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