NVMFSC0D9N04C
品牌：ON安森美
封装：DFN-8
通道数：1
输入电流：310A
工作电压：40V
导通电阻：0.87mΩ
类目：场效应管
NVMFSC0D9N04C 是一款 N 沟道的 MOS 场效应管，以下是其相关信息：
基本类型：N 通道 MOSFET（金属氧化物）。
漏源电压（Vdss）：40V。
电流：25°C 时连续漏极电流（Id）为 313A（Tc）。
驱动电压：大 Rds On 时为 4.5V，小 Rds On 时为 10V。
导通电阻：不同 Id、Vgs 时导通电阻未给出具体大值。
阈值电压：不同 Id 时 Vgs (th) 大值为 2V @ 250μA。
栅极电荷：不同 Vgs 时栅极电荷（Qg）大值为 143nC @ 10V。
栅源电压（Vgs）：大值为 ±20V。
输入电容：不同 Vds 时输入电容（Ciss）大值为 8500pF @ 20V。
功率耗散：大值为 83W（Ta）。
工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）。
安装类型：表面贴装型。
封装 / 外壳：8 - PowerTDFN，供应商器件封装为 8 - PQFN（5x6）。
场效应管在电路中具有多种功能，如开关功能，可用于开关电源和数字电路中控制电流的开启和关闭；放大功能，利用其高输入阻抗和良好的线性特性，可在音频放大器和射频放大器中放大弱小信号；还可用于电压调节、阻抗匹配、信号调制等。NVMFSC0D9N04C 场效应管凭借其自身参数特点，可应用于汽车电子等领域。
