NTMFS5C604NLT1G-UIL3 是安森美（onsemi）公司生产的一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其相关信息如下：
主要参数
漏源电压（Vdss）：60V，即该 MOSFET 正常工作时所能承受的最大漏源电压为 60V。
漏极电流（Id）：25°C 时连续漏极电流为 38A（Ta），而在 287A（Tc）条件下也能工作，表明它可以承受较大的电流。
导通电阻（Rds（on））：不同条件下有所不同，例如在 50A、10V 时，最大导通电阻为 1.2 毫欧，低导通电阻有助于降低导通损耗，提高电路效率。
栅源电压（Vgs）：最大值为 ±20V，正常工作时栅源电压的范围应在这个限值内。
栅极电荷（Qg）：最大值为 120nC@10V，栅极电荷的大小影响着 MOSFET 的开关速度和驱动功率。
输入电容（Ciss）：最大值为 8900pF@25V，较大的输入电容会对驱动电路的性能产生一定要求。
功率耗散（Pd）：最大值为 3.9W（Ta），200W（Tc），反映了该器件在工作时能够承受的最大功率损耗。
工作温度范围：-55°C 至 175°C（TJ），能适应较宽的温度环境，适用于多种不同工作环境的应用场景。
产品特点
小型化封装：采用 5-DFN（5x6）（8 - SOFL）表面贴装封装形式，具有较小的占地面积，适合在空间紧凑的电路板上使用，有利于实现电子设备的小型化设计。
低导通电阻：低 RDS（开启）特性可最大限度地减少传导损耗，降低在导通状态下的功率消耗，提高电路的能源利用效率，减少发热，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
低栅极电荷和电容：低 QG 和电容可最大程度地减少驱动器损耗，降低对驱动电路的要求，同时也有助于提高开关速度，使 MOSFET 能够快速地导通和截止，适应高频开关应用。
符合相关标准：该器件不含铅，符合 RoHS 标准，满足环保要求；同时 AEC - Q101 合格，可 PPAP，说明其具有较高的可靠性和稳定性，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
应用领域
汽车电子：如汽车的发动机控制单元、车身电子控制系统、车载充电器等，需要高可靠性的 MOSFET 来实现功率转换和开关控制。
工业控制：可用于工业自动化设备中的电机驱动、电源管理模块等，能够承受高电压和大电流，满足工业环境中的严格要求。
消费电子：在一些对效率和空间要求较高的消费电子产品中，如平板电脑、笔记本电脑的电源管理电路，以及智能家电的控制电路等，发挥着重要作用。
安防设备：例如监控摄像头的电源电路、门禁系统等，需要稳定可靠的 MOSFET 来提供高效的功率转换和控制。
网络通信：在网络设备的电源模块中，用于实现直流 - 直流转换，为设备提供稳定的电源供应。
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