ZXMHC3F381N8TC
品牌：DIODES(美台)
封装:SOP-8
输入电流：4.1A
工作电压：30V
导通电阻：80mΩ
类目： 场效应管
ZXMHC3F381N8TC 是美台（DIODES）公司生产的一款场效应管，属于分立半导体产品，具体信息如下：
基本类型：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，MOSFET（金属氧化物），包含 2 个 N 沟道和 2 个 P 沟道（半桥），属于增强型绝缘栅场效应管。
FET 功能：逻辑电平门，能够通过输入的逻辑电平信号来控制场效应管的导通和截止，从而实现对电路的开关控制。
漏源电压（Vdss）：30V，这是该场效应管能够承受的最大漏源电压，使用时加在场效应管上的工作电压必须小于这个值，以防止管子被击穿。
电流 - 连续漏极 (Id)：25°C 时，N 沟道为 3.98A，P 沟道为 3.36A，代表场效应管正常工作时漏极能够连续通过的最大电流。
导通电阻（Rds On）：33 毫欧 @ 5A，10V，表示在特定的电流和电压条件下，场效应管导通时漏源极之间的电阻值，该值越小，管子导通时的功耗越低。
不同 Id 时 Vgs (th)（大值）：3V @ 250μA，即当漏极电流为 250μA 时，栅源极之间的开启电压最大值为 3V，只有当栅源电压大于这个值时，场效应管才会导通。
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：9nC @ 10V，指在栅源电压为 10V 时，栅极所存储的电荷量，该参数影响着场效应管的开关速度和驱动能力。
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：430pF @ 15V，是在场效应管漏源电压为 15V 时的输入电容值，输入电容会影响管子的高频性能和驱动功率。
功率 - 大值：870mW，是场效应管能够承受的最大耗散功率，使用中实际功耗应小于此值并留有一定余量，以保证管子正常工作和不会因过热而损坏。
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ），在此温度范围内，场效应管能够稳定工作，超出这个范围可能会影响管子的性能甚至导致损坏。
安装类型：表面贴装型，适合在电路板上进行表面贴装，具有良好的电气性能和机械稳定性。
该场效应管采用 SO - 8（0.154"，3.90mm 宽）封装，可应用于直流电机控制、直流 - 交流逆变器等领域，能够在低栅极驱动条件下实现低导通电阻，具有较好的性能。
